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關(guān)于我們
南通振雄電子科技有限公司，位于黃海之濱，注冊資本800萬(wàn)元，是專(zhuān)業(yè)生產(chǎn)各類(lèi)整流橋和二極管的制造企業(yè)。
公司引進(jìn)國內外專(zhuān)業(yè)的設備，擁有科研院所的技術(shù)支持和專(zhuān)業(yè)的研發(fā)團隊，產(chǎn)品質(zhì)量在國內外市場(chǎng)中享有良好的信譽(yù)。公司通過(guò)了ISO9002國際質(zhì)量標準體系、ISO9001:2008質(zhì)量管理體系、產(chǎn)品獲得SGS等認證，符合最新RoHS指令。
800
注冊資本800萬(wàn)元
10
公司已成立10年
產(chǎn)品中心
普通整流二極管
ABS貼片橋堆
GBJ扁橋
產(chǎn)品優(yōu)勢
經(jīng)營(yíng)管理
數十年創(chuàng )業(yè)與持續經(jīng)營(yíng)的豐富經(jīng)驗與駕馭能力建立了穩定、高效、規范的經(jīng)營(yíng)管理體系。
技術(shù)、工藝與設備
先進(jìn)的全自動(dòng)生產(chǎn)設備，技術(shù)與成熟工藝，嚴格質(zhì)量控制，確保為客戶(hù)提供高質(zhì)量產(chǎn)品。。
企業(yè)服務(wù)
具備雄厚的目投資、開(kāi)發(fā)及項目運營(yíng)管理等經(jīng)驗與能力，能夠為客戶(hù)提供全面、高效、優(yōu)質(zhì)的系統解決方案。
新聞資訊
半導體三極管參數符號及其意義
如果晶體管的共發(fā)射極電流放大系數β = IC / IB =100, 集電極電流 IC= β*IB=10mA。在500Ω的集電極負載電阻上有電壓降VRC=10mA*500Ω=5V，而晶體管集電極和發(fā)射極之間的壓降為VCE=5V，如果在基極偏置電路中疊加一個(gè)交變的小電流ib，在集電極電路中將出現一個(gè)相應的交變電流ic，有c/ib=β，實(shí)現了雙極晶體管的電流放大作用。
晶閘管和整流二極管的設計選擇
在任何情況下，不論是靜態(tài)或者動(dòng)態(tài)的情況下，都不得超過(guò)數據文件中所給出的極限值，例如，截止電壓，峰值電流和結層溫度的上限等。同樣不得超過(guò)模塊外殼和使用安裝的極限值，例如抗振動(dòng)和抗沖擊性，適應的環(huán)境性，隔離絕緣性等。
整流橋模塊的內部結構分析
在整流橋模塊的每個(gè)工作周期內，同一時(shí)間只有兩個(gè)二極管進(jìn)行工作，通過(guò)二極管的單向導通功能，把交流電轉換成單向的直流脈動(dòng)電壓。
關(guān)于IGBT功率模塊的智能驅動(dòng)器設計
其功率模塊采用雙功率模塊設計，即每個(gè)模塊由兩個(gè)開(kāi)關(guān)單元組成。為保證功率IGBT在高頻、高壓、大電流下工作，要設計可靠的柵極驅動(dòng)電路。一個(gè)性能良好的驅動(dòng)電路要求觸發(fā)脈沖應具有足夠快的上升和下降速度，即在開(kāi)通瞬時(shí),驅動(dòng)電路應能提供足夠大的充電電流,使IGBT柵源極間電壓迅速上升到所需值,并保持穩定,以保證其可靠導通,且不存在上升沿的高頻振蕩;在關(guān)斷瞬時(shí),驅動(dòng)電路應能提供一個(gè)盡可能低阻抗的通路,供柵極電容電壓快速泄放,以保證其快速關(guān)斷。
可控硅模塊 - 晶閘管在電路中的主要用途
普通晶閘管最基本的用途就是可控整流。大家熟悉的二極管整流電路屬于不可控整流電路。如果把二極管換成晶閘管，就可以構成可控整流電路、逆變、電機調速、電機勵磁、無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)及自動(dòng)控制等方面?，F在我畫(huà)一個(gè)最簡(jiǎn)單的單相半波可控整流電路。
電力電子被納入《中國制造2025》發(fā)展重點(diǎn)
作為與“德國工業(yè)4.0”的對標，《中國制造2025》對我國制造業(yè)轉型升級和跨越發(fā)展作了整體部署，提出了我國制造業(yè)由大變強“三步走”戰略目標，明確了建設制造強國的戰略任務(wù)和重點(diǎn)，是我國實(shí)施制造強國戰略的第一個(gè)十年行動(dòng)綱領(lǐng)。
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